制造商编号 | BSZ040N04LS G |
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商品别名 | BSZ040N04LSGATMA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A33-BSZ040N04LS G |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:3.3mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):69W
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 40V | |
连续漏极电流Id | 40A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
Qg-栅极电荷 | 64nC | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 69W | |
高度 | 1.10mm | |
长度 | 3.3mm | |
系列 | OptiMOS3 | |
FET类型 | N-Channel | |
正向跨导 - 最小值 | 40S | |
下降时间 | 5.4ns | |
上升时间 | 4.8ns | |
典型关闭延迟时间 | 33ns | |
典型接通延迟时间 | 8.5ns | |
工作温度 | -55°C~150°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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30+ | ¥6.7365 |
50+ | ¥5.9603 |
100+ | ¥5.3087 |
500+ | ¥5.2991 |
1,000+ | ¥5.2895 |
2,000+ | ¥5.2608 |
4,000+ | ¥5.232 |
¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3周-4周 |
起订量:30 | 倍数:1 |
生产年份 : 2023 年
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |