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AOD2610E  与  IPD088N06N3GBTMA1  区别

型号 AOD2610E IPD088N06N3GBTMA1
唯样编号 A36-AOD2610E A-IPD088N06N3GBTMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 28 -
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@20A,10V -
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 13.3mΩ -
Qgd(nC) 3.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3900pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 46A -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 10V
Ciss(pF) 1100 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.8 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Trr(ns) 19 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 59.5W -
Qrr(nC) 65 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 34uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 300 -
Qg*(nC) 7 -
库存与单价
库存 42,581 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.936
100+ :  ¥1.496
1,250+ :  ¥1.298
2,500+ :  ¥1.221
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2610E AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55℃~150℃

¥1.936 

阶梯数 价格
30: ¥1.936
100: ¥1.496
1,250: ¥1.298
2,500: ¥1.221
42,581 当前型号
DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 14.8A(Ta),70A(Tc)

暂无价格 5 对比
AOD2610 AOS  数据手册 功率MOSFET

±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W

暂无价格 0 对比
DMTH6010SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 3.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 16.3A(Ta),70A(Tc)

暂无价格 0 对比
IPD088N06N3GBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD088N06N3 G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
DMTH6010LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 31W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 14.8A(Ta),70A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比

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