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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | Yes | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 46A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 59.5W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@20A,10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 13.3mΩ | |
| VGS(th) | 2.4 | |
| Ciss(pF) | 1100 | |
| Coss(pF) | 300 | |
| Crss(pF) | 28 | |
| Qg*(nC) | 7 | |
| Qgd(nC) | 3.5 | |
| Trr(ns) | 19 | |
| Qrr(nC) | 65 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥1.936 总价：￥58.08 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：30 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD2610E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 46A 59.5W 9.5mΩ@20A,10V -55℃~150℃ |
￥1.936
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27,581 | 当前型号 | ||||||||||
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DMTH6010LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 3.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 14.8A(Ta),70A(Tc) |
￥3.663
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505 | 对比 | ||||||||||
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AOD2610 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 10.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 60V 46A TO252 71.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMTH6010SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 3.1W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 16.3A(Ta),70A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPD088N06N3GBTMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPD088N06N3 G_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMTH6010LK3Q-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 31W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 14.8A(Ta),70A(Tc) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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