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MOSFET   TO-252-3

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制造商编号 DMTH6010LK3-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMTH6010LK3-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V
栅极电压Vgs ±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2090 pF @ 30 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 41.3 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3
工作温度 -55℃~175℃(TJ)
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 14.8A(Ta),70A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V
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20+ ¥3.663
100+ ¥2.827
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生产日期  :  23+

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
100: ¥2.827
1,250: ¥2.453
2,500: ¥2.31
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