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AO4468  与  IRL6342TRPBF  区别

型号 AO4468 IRL6342TRPBF
唯样编号 A36-AO4468 A36-IRL6342TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 82 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10.5A,10V 14.6mΩ@9.9A,4.5V
Rds On(Max)@4.5V 23mΩ -
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 5 -
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 10.5A 9.9A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 740 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1025pF @ 25V
Trr(ns) 18 -
Td(off)(ns) 19 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W 2.5W(Ta)
Qrr(nC) 9 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1025pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
Coss(pF) 110 -
Qg*(nC) 7.5 -
库存与单价
库存 5,465 107
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
70+ :  ¥0.7975
200+ :  ¥0.5511
30+ :  ¥2.035
100+ :  ¥1.628
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 当前型号
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
1,250: ¥1.0637
2,500: ¥0.902
2,500 对比
DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
1,250: ¥0.9966
1,974 对比
IRL6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.035 

阶梯数 价格
30: ¥2.035
100: ¥1.628
107 对比
IRF7413ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.289 

阶梯数 价格
20: ¥3.289
73 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥5.0473 

阶梯数 价格
1: ¥5.0473
25: ¥4.6734
40 对比

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