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AO3418  与  FDN335N  区别

型号 AO3418 FDN335N
唯样编号 A36-AO3418 A36-FDN335N
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 20 V 0.07 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@3.8A,10V 70 毫欧 @ 1.7A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W 500mW(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 3.8A 1.7A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 310pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 310pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2 8,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.639
100+ :  ¥1.265
750+ :  ¥1.0549
1,500+ :  ¥0.9592
3,000+ :  ¥0.88
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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SOT23-3

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IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
39,227 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
15,263 对比
FDN335N ON Semiconductor 通用MOSFET

SuperSOT SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.265
750: ¥1.0549
1,500: ¥0.9592
3,000: ¥0.88
8,000 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
100: ¥1.298
750: ¥1.0725
1,500: ¥0.9757
3,000: ¥0.8954
6,000 对比
IRLML9301TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.8303 

阶梯数 价格
90: ¥1.8303
100: ¥1.5428
500: ¥1.3512
1,000: ¥1.3512
2,000: ¥1.3416
4,000: ¥1.332
5,982 对比

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