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功率MOSFET   Micro3™/SOT-23

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制造商编号 IRLML6346TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A36-IRLML6346TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V
栅极电压Vgs ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 24V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.9nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 24V
Rds On(Max)@Id,Vgs 63mΩ@3.4A,4.5V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 3.4A
封装/外壳 Micro3™/SOT-23
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库存 :  15,477

价格梯度 单价(含税)
70+ ¥0.7326
200+ ¥0.5967
1,500+ ¥0.5421

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥0.507
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

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最小包:3,000 
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起订量:70 倍数:1

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生产日期  :  2年内

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
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1,500: ¥0.3029
3,000: ¥0.2678
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SOT-23

暂无价格 24,000 对比
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阶梯数 价格
100: ¥0.5511
200: ¥0.4199
1,500: ¥0.3653
3,000: ¥0.3237
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