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RS3E135BNGZETB  与  IRF8707TRPBF  区别

型号 RS3E135BNGZETB IRF8707TRPBF
唯样编号 A33-RS3E135BNGZETB A36-IRF8707TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.6mΩ@9.5A,10V 11.9mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 9.5A(Ta) 11A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 15V 760pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V 9.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 2,420 20,714
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥5.9795
50+ :  ¥3.4689
100+ :  ¥3.2964
500+ :  ¥2.7694
1,000+ :  ¥2.6735
2,000+ :  ¥2.4819
40+ :  ¥1.54
100+ :  ¥1.188
1,000+ :  ¥0.9889
2,000+ :  ¥0.8987
4,000+ :  ¥0.825
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥5.9795 

阶梯数 价格
30: ¥5.9795
50: ¥3.4689
100: ¥3.2964
500: ¥2.7694
1,000: ¥2.6735
2,000: ¥2.4819
2,420 当前型号
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.54 

阶梯数 价格
40: ¥1.54
100: ¥1.188
1,000: ¥0.9889
2,000: ¥0.8987
4,000: ¥0.825
20,714 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 对比
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.3861 

阶梯数 价格
70: ¥2.3861
100: ¥2.2615
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.7057
2,500 对比
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.3861 

阶梯数 价格
70: ¥2.3861
100: ¥2.2615
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.7057
2,152 对比
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.0798 

阶梯数 价格
1: ¥1.0798
25: ¥0.931
33 对比

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