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RS1E200BNTB  与  BSZ050N03MSGATMA1  区别

型号 RS1E200BNTB BSZ050N03MSGATMA1
唯样编号 A33-RS1E200BNTB A-BSZ050N03MSGATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),48W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta),25W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3600pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 20A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 46nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.5 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V -
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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