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RS1E130GNTB  与  AON6410  区别

型号 RS1E130GNTB AON6410
唯样编号 A33-RS1E130GNTB A-AON6410
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 8-HSOP 8-DFN(5x6)
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A 10A(Ta),24A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ@13A,10V 12 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 22.2W 2W(Ta),35W(Tc)
栅极电荷Qg - 28nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 955 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥1.859
100+ :  ¥1.6578
500+ :  ¥1.6482
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E130GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-HSOP

¥1.859 

阶梯数 价格
90: ¥1.859
100: ¥1.6578
500: ¥1.6482
955 当前型号
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