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RQ3E180GNTB  与  AON6516  区别

型号 RQ3E180GNTB AON6516
唯样编号 A33-RQ3E180GNTB A36-AON6516
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 83
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V 5mΩ@10V
上升时间 6.9ns -
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 8mΩ
Qg-栅极电荷 22.4nC -
Qgd(nC) - 5.5
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 17S -
Td(on)(ns) - 7
封装/外壳 HSMT-8 DFN 5x6
连续漏极电流Id 18A 56A
工作温度 -55°C~150°C -
配置 Single -
Ciss(pF) - 1229
下降时间 10.2ns -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 12.6
Td(off)(ns) - 24
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 25W
Qrr(nC) - 15.2
VGS(th) - 2.2
典型关闭延迟时间 56.8ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 16.5ns -
Coss(pF) - 526
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 2,775 0
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
60+ :  ¥2.5681
100+ :  ¥2.2902
500+ :  ¥2.2902
1,000+ :  ¥2.2807
2,000+ :  ¥2.2711
暂无价格
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¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 当前型号
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¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
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