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RQ3E180GNTB  与  AON6576  区别

型号 RQ3E180GNTB AON6576
唯样编号 A33-RQ3E180GNTB A-AON6576
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V 4.7mΩ@20A,10V
上升时间 6.9ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 26W
Qg-栅极电荷 22.4nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 56.8ns -
正向跨导 - 最小值 17S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 DFN 5x6
连续漏极电流Id 18A 32A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 1Channel -
配置 Single -
下降时间 10.2ns -
典型接通延迟时间 16.5ns -
库存与单价
库存 2,775 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.5681
100+ :  ¥2.2902
500+ :  ¥2.2902
1,000+ :  ¥2.2807
2,000+ :  ¥2.2711
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 当前型号
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¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
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