首页 > 商品目录 > > > > RQ3E180GNTB代替型号比较

RQ3E180GNTB  与  AON7424  区别

型号 RQ3E180GNTB AON7424
唯样编号 A33-RQ3E180GNTB A-AON7424
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V 5.2 mΩ @ 20A,10V
上升时间 6.9ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 3.1W(Ta),36W(Tc)
Qg-栅极电荷 22.4nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 56.8ns -
正向跨导 - 最小值 17S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 8-DFN(3x3)
连续漏极电流Id 18A 18A(Ta),40A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
栅极电荷Qg - 60nC @ 10V
下降时间 10.2ns -
典型接通延迟时间 16.5ns -
库存与单价
库存 2,775 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.5681
100+ :  ¥2.2902
500+ :  ¥2.2902
1,000+ :  ¥2.2807
2,000+ :  ¥2.2711
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 当前型号
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比
AON7424 AOS 功率MOSFET

8-DFN(3x3)

暂无价格 0 对比
AON6516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比
DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售