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R6024KNJTL  与  STB27NM60ND  区别

型号 R6024KNJTL STB27NM60ND
唯样编号 A33-R6024KNJTL A3-STB27NM60ND
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@11.3A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 245W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3
连续漏极电流Id 24A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
库存与单价
库存 68 0
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
10+ :  ¥16.1368
50+ :  ¥15.8398
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 24A(Tc) ±20V 245W(Tc) 165mΩ@11.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥16.1368 

阶梯数 价格
10: ¥16.1368
50: ¥15.8398
68 当前型号
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W

暂无价格 0 对比
IPB60R180P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R180P7ATMA1_D2PAK (TO-263) N-Channel 3V,4V 600V 53A 180mΩ -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SPB20N60S5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB20N60S5ATMA1_600V 20A 190mΩ 20V 208W N-Channel -55°C~150°C

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STB27NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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STB23NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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