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功率MOSFET   10mm

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制造商编号 SPB20N60S5
商品别名 SPB20N60S5ATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-SPB20N60S5
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):208W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 600V
连续漏极电流Id 20A
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ
栅极电压Vgs 20V
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 208W
高度 4.4mm
长度 10mm
系列 CoolMOSS5
FET类型 N-Channel
宽度 9.25mm
下降时间 30ns
上升时间 25ns
典型关闭延迟时间 140ns
典型接通延迟时间 120ns
工作温度 -55°C~150°C
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