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R6020ENJTL  与  IPB60R190C6ATMA1  区别

型号 R6020ENJTL IPB60R190C6ATMA1
唯样编号 A33-R6020ENJTL A-IPB60R190C6ATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 151W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@9.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 100V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 20A(Tc) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 630uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 9.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 20.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 220 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
2+ :  ¥79.1411
10+ :  ¥21.9246
50+ :  ¥17.6796
100+ :  ¥16.8363
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50: ¥17.6796
100: ¥16.8363
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