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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1mA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1400pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 196mΩ@9.5A,10V | |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3周-4周 |
| 起订量：2 | 倍数：1 |
生产年份 : 2022 年
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低开关损耗且高速开关工作，它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压（VDSS）和±15.5A连续漏极电流，适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
￥79.1411
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220 | 当前型号 | ||||||||||
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IPB60R190C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB60R190C6ATMA1_10mm |
￥2.024
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4 | 对比 | ||||||||||
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AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO263 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPB60R190C6ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
STB28NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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