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STB120NF10T4  与  IRFS4310TRLPBF  区别

型号 STB120NF10T4 IRFS4310TRLPBF
唯样编号 A32-STB120NF10T4 A32-IRFS4310TRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5m Ohms@60A,10V 7mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 312W(Tc) 300W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 130A
系列 STripFET™ II HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V 7670pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 233nC @ 10V 250nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7670pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
库存与单价
库存 2 34
工厂交货期 7 - 14天 7 - 14天
单价(含税)
1+ :  ¥23.8471
1+ :  ¥18.399
25+ :  ¥17.6913
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 当前型号
IPB027N10N3 G Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3

¥31.5261 

阶梯数 价格
5: ¥31.5261
10: ¥28.1723
50: ¥27.3099
100: ¥26.3516
500: ¥26.0642
1,000: ¥25.6809
2,000 对比
IRFS4310ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥6.138 

阶梯数 价格
9: ¥6.138
97 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥18.399 

阶梯数 价格
1: ¥18.399
25: ¥17.6913
34 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
IPB054N08N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N08N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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