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STB120NF10T4  与  IRF3610SPBF  区别

型号 STB120NF10T4 IRF3610SPBF
唯样编号 A32-STB120NF10T4 A-IRF3610SPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 333W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5m Ohms@60A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 312W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5380pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
系列 STripFET™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 233nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11.6 毫欧 @ 62A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 103A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 2 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥23.8471
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 对比

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