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IRFS4310TRLPBF  与  STB120NF10T4  区别

型号 IRFS4310TRLPBF STB120NF10T4
唯样编号 A32-IRFS4310TRLPBF A36-STB120NF10T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@75A,10V 10.5m Ohms@60A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 312W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 130A 110A
系列 HEXFET® STripFET™ II
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7670pF @ 50V 5200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V 233nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7670pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
库存与单价
库存 34 0
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥18.399
25+ :  ¥17.6913
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