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ZXMP6A18KTC  与  TJ15S06M3L(T6L1,NQ  区别

型号 ZXMP6A18KTC TJ15S06M3L(T6L1,NQ
唯样编号 A3-ZXMP6A18KTC A-TJ15S06M3L(T6L1,NQ
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252 MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ@3.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 2.15W(Ta) 41W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50 毫欧 @ 7.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1770 pF @ 10 V
Vgs(th) - 3V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 36 nC @ 10 V
封装/外壳 DPAK DPAK+
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.4A 15A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1580pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V -
Vgs(最大值) - +10V,-20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
2,500+ :  ¥2.4888
暂无价格
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