制造商编号 | IRFR5305PBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IRFR5305PBF |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Single P-Channel 55 V 89 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount -TO-252AA
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@16A,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 63nC @ 10V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1200pF @ 25V | |
Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
FET类型 | P-Channel | |
漏源极电压Vds | 55V | |
连续漏极电流Id | 31A | |
封装/外壳 | D-Pak |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:3,000
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交期: 请咨询客服 |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |