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功率MOSFET   DPAK

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制造商编号 ZXMP6A18KTC
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A3-ZXMP6A18KTC
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
P-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - TO-252
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1580pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 2.15W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 55mΩ@3.5A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 DPAK
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 10.4A
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