首页 > 商品目录 > > > > STP26NM60N代替型号比较

STP26NM60N  与  IPP60R180P7  区别

型号 STP26NM60N IPP60R180P7
唯样编号 A3-STP26NM60N A-IPP60R180P7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 180mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 72W
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 20A(Tc) 18A
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
SCT2120AFC ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP60R180P7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPP60R180P7XKSA1_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP60R165CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R165CP_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP60R125CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125CPXKSA1_10mm

暂无价格 0 对比
SCT2120AFC ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售