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STP26NM60N  与  IPP60R125CP  区别

型号 STP26NM60N IPP60R125CP
唯样编号 A3-STP26NM60N A-IPP60R125CP
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 110mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 208W
Qg-栅极电荷 - 70nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 20A(Tc) 25A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCP
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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