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STP26NM60N  与  IPP60R165CPXKSA1  区别

型号 STP26NM60N IPP60R165CPXKSA1
唯样编号 A3-STP26NM60N A-IPP60R165CPXKSA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 192W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 790uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 165 毫欧 @ 12A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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