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STL140N6F7  与  BSC039N06NSATMA1  区别

型号 STL140N6F7 BSC039N06NSATMA1
唯样编号 A3-STL140N6F7 A-BSC039N06NSATMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@16A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 4.8W(Ta),125W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 Power 8-PowerTDFN
工作温度 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 140A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 36uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
系列 DeepGATE™,STripFET™ VII -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.9 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 19A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STL140N6F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 4.8W(Ta),125W(Tc) 2.5mΩ@16A,10V 175°C(TJ) Power N-Channel 60V 140A

暂无价格 3,000 当前型号
BSC039N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC039N06NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC028N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC039N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC039N06NSATMA1_60V 100A 3.9mΩ@50A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-6

暂无价格 0 对比
AON6162 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 60V 20V 100A 215W 2.1mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSC028N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NSATMA1_60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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