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STL140N6F7  与  BSC039N06NS  区别

型号 STL140N6F7 BSC039N06NS
唯样编号 A3-STL140N6F7 A-BSC039N06NS
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@16A,10V 3.9mΩ@50A,10V
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 4.8W(Ta),125W(Tc) 69W
Qg-栅极电荷 - 27nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 42S
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Power TDSON-8-6
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 140A 100A
系列 DeepGATE™,STripFET™ VII OptiMOS5
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
长度 - 5.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STL140N6F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 4.8W(Ta),125W(Tc) 2.5mΩ@16A,10V 175°C(TJ) Power N-Channel 60V 140A

暂无价格 3,000 当前型号
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BSC039N06NSATMA1_60V 100A 3.9mΩ@50A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-6

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