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STL140N6F7  与  AON6162  区别

型号 STL140N6F7 AON6162
唯样编号 A3-STL140N6F7 A-AON6162
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 130
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@16A,10V 2.1mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 4.8W(Ta),125W(Tc) 215W
Qrr(nC) - 150
VGS(th) - 3.2
Qgd(nC) - 16
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Power DFN 5x6
工作温度 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 140A 100A
系列 DeepGATE™,STripFET™ VII -
Ciss(pF) - 4850
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 30
Coss(pF) - 1700
Qg*(nC) - 70*
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STL140N6F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 4.8W(Ta),125W(Tc) 2.5mΩ@16A,10V 175°C(TJ) Power N-Channel 60V 140A

暂无价格 3,000 当前型号
BSC039N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC039N06NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC028N06NSATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NS_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC039N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC039N06NSATMA1_60V 100A 3.9mΩ@50A,10V ±20V 69W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-6

暂无价格 0 对比
AON6162 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 60V 20V 100A 215W 2.1mΩ@10V

暂无价格 0 对比
BSC028N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NSATMA1_60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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