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RS6N120BHTB1  与  SIR826LDP-T1-RE3  区别

型号 RS6N120BHTB1 SIR826LDP-T1-RE3
唯样编号 A3-RS6N120BHTB1 A-SIR826LDP-T1-RE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 PowerPAK® SO-8
连续漏极电流Id ±135A 21.3A(Ta),86A(Tc)
工作温度 - -55℃~150℃
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ohms 5 mOhms @ 15A,10V
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 104W 5W(Ta),83W(Tc)
Vgs(最大值) - ±20V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 100 60
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8 N-Channel ±20V 80V ±135A 3.3m Ohms 104W

暂无价格 100 当前型号
IRF7493 Infineon  数据手册 功率MOSFET

15mΩ 80V SO-8 N-Channel 20V 5.8A

暂无价格 0 对比
IRF7854 Infineon  数据手册 功率MOSFET

13.4mΩ 80V SO-8 N-Channel 20V 7.9A

暂无价格 0 对比
SI7852DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.9W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 80V 7.6A(Ta) 16.5mΩ@10A,10V

¥9.009 

阶梯数 价格
6: ¥9.009
100: ¥7.843
750: ¥7.117
1,500: ¥6.853
2,599 对比
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

21.3A(Ta),86A(Tc) N-Channel 5 mOhms @ 15A,10V 5W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 80V

暂无价格 60 对比
SIR680DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

100A(Tc) N-Channel 2.9 mOhms @ 20A,10V 104W(Tc) PowerPAK® SO-8 -55℃~150℃ 80V

暂无价格 30 对比

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