首页 > 商品目录 > > > > RS6N120BHTB1代替型号比较

RS6N120BHTB1  与  IRF7493  区别

型号 RS6N120BHTB1 IRF7493
唯样编号 A3-RS6N120BHTB1 A-IRF7493
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3m Ohms 15mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 80V 80V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 12.0nC
封装/外壳 HSOP8 SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id ±135A 5.8A
QG - 31.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.36
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6N120BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8

暂无价格 100 当前型号
IRF7493 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7854 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI7852DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

SOIC-8

¥9.02 

阶梯数 价格
6: ¥9.02
100: ¥7.854
750: ¥7.139
1,500: ¥6.864
3,000: ¥6.6
7,993 对比
SIR826LDP-T1-RE3 Vishay 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 30 对比
SIR680DP-T1-RE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®SO-8

暂无价格 30 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售