首页 > 商品目录 > > > > RS6G120BGTB1代替型号比较

RS6G120BGTB1  与  IRF7842TRPBF  区别

型号 RS6G120BGTB1 IRF7842TRPBF
唯样编号 A3-RS6G120BGTB1 A36-IRF7842TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE Single N-Channel 40 V 2.5 W 50 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V 5mΩ@17A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 104W 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSOP8 (Single) 8-SO
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 18A(Ta)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.25V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4500pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 100 5,908
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥4.532
100+ :  ¥3.795
1,000+ :  ¥3.509
2,000+ :  ¥3.344
4,000+ :  ¥3.179
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF7842 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI4122DY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥9.152 

阶梯数 价格
6: ¥9.152
100: ¥7.876
1,250: ¥7.513
2,500: ¥7.15
19,917 对比
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
16,193 对比
IRF7842TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.532 

阶梯数 价格
20: ¥4.532
100: ¥3.795
1,000: ¥3.509
2,000: ¥3.344
4,000: ¥3.179
5,908 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售