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MUN5335DW1T1G  与  RN4985,LF(CT  区别

型号 MUN5335DW1T1G RN4985,LF(CT
唯样编号 A3-MUN5335DW1T1G A-RN4985,LF(CT
制造商 ON Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 通用三极管
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
功率 1/4W 200mW
电阻器-发射极(R2) - 47 千欧
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
电阻器-基底(R1)(欧姆) 2.2k -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
产品状态 - 在售
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 2.2 千欧
FET类型 NPN+PNP -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
封装/外壳 SC-88 US6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
频率-跃迁 - 250MHz,200MHz
集电极最大允许电流Ic 100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 10mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100uA(ICBO)
晶体管类型 - 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

暂无价格 0 当前型号
PUMD10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.8646 

阶梯数 价格
60: ¥0.8646
200: ¥0.3406
1,500: ¥0.246
3,000: ¥0.1695
47,469 对比
DCX123JU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
4,175 对比
PUMD10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
1,460 对比
PUMD10,125 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
50 对比
RN4985,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

US6

暂无价格 0 对比

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