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MUN5335DW1T1G  与  PUMD10,125  区别

型号 MUN5335DW1T1G PUMD10,125
唯样编号 A3-MUN5335DW1T1G A-PUMD10,125
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 达林顿晶体管 通用三极管
描述 PUMD10 Series 50 V 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor - SOT-363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 500nA -
功率耗散Pd - 300mW
功率 1/4W -
特征频率fT - 230MHz
电阻器-基底(R1)(欧姆) 2.2k -
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) 47K Ohms -
集电极-射极饱和电压 - 100mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 250mV @ 300µA,10mA -
FET类型 NPN+PNP -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V -
封装/外壳 SC-88 SOT-363
VCBO - 50V
工作温度 - -65℃~150℃
集电极_发射极击穿电压VCEO 50V -
VEBO - 5V
尺寸 - 2.1*1.25*0.95
集电极连续电流 - 100mA
集电极最大允许电流Ic 100mA -
直流电流增益hFE - 100
集电极-发射极最大电压VCEO - 50V
晶体管类型 - N+P-Channel
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥0.3031
100+ :  ¥0.2245
1,000+ :  ¥0.174
1,500+ :  ¥0.1426
3,000+ :  ¥0.1262
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor 达林顿晶体管

SC-88

暂无价格 0 当前型号
PUMD10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.8646 

阶梯数 价格
60: ¥0.8646
200: ¥0.3406
1,500: ¥0.246
3,000: ¥0.1695
47,469 对比
DCX123JU-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.4316 

阶梯数 价格
120: ¥0.4316
200: ¥0.2795
1,500: ¥0.279
3,000: ¥0.2475
4,175 对比
PUMD10,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
1,460 对比
PUMD10,125 Nexperia  数据手册 通用三极管

PUMD10_SOT-363

¥0.3031 

阶梯数 价格
10: ¥0.3031
100: ¥0.2245
1,000: ¥0.174
1,500: ¥0.1426
3,000: ¥0.1262
50 对比
RN4985,LF(CT Toshiba  数据手册 通用三极管

US6

暂无价格 0 对比

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