| 制造商编号 | RN4985,LF(CT |
|---|---|
| 制 造 商 | Toshiba(东芝) |
| 唯样编号 | A-RN4985,LF(CT |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用三极管 | |
| 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) | 300mV @ 250uA,5mA | |
| 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | |
| 产品状态 | 在售 | |
| 封装/外壳 | US6 | |
| 功率 | 200mW | |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V | |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA | |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100uA(ICBO) | |
| 电阻器-发射极(R2) | 47 千欧 | |
| 电阻器-基极(R1) | 2.2 千欧 | |
| 频率-跃迁 | 250MHz,200MHz |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
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交期： 请咨询客服 |
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBC846ALT1G | 273,000 |
| L8550HRLT1G | 258,000 |
| LMBT3904DW1T1G | 90,000 |
| LBSS4250Y3T1G | 58,000 |
| BC856S,115 | 48,000 |
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