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FDN352AP  与  DMP3160L-7  区别

型号 FDN352AP DMP3160L-7
唯样编号 A3-FDN352AP A36-DMP3160L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@-1.3A,-10V 122mΩ
上升时间 - 7.3ns
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 1.08W
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs ±25V 1.3V
典型关闭延迟时间 - 22.5ns
正向跨导 - 最小值 - 5.9S
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -1.3A 2.7A
系列 - DMP31
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 227pF @ 10V
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 13.4ns
典型接通延迟时间 - 4.8ns
高度 - 1mm
库存与单价
库存 1,639 6,146
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥0.4719
200+ :  ¥0.3042
1,500+ :  ¥0.2639
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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110: ¥0.4719
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1,500: ¥0.2639
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