首页 > 商品目录 > > > > FDN352AP代替型号比较

FDN352AP  与  NTR4502PT1G  区别

型号 FDN352AP NTR4502PT1G
唯样编号 A3-FDN352AP A3-NTR4502PT1G
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -1.3A -1.13A
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@-1.3A,-10V 200mΩ@-1.95A,-10V
漏源极电压Vds -30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 400mW(Tj)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
库存与单价
库存 1,639 18,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 1,639 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 24,200 对比
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 18,000 对比
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5889 

阶梯数 价格
90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
3,000: ¥0.2925
7,585 对比
IRLML9303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
7,380 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
6,157 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售