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FDN352AP  与  AO3409  区别

型号 FDN352AP AO3409
唯样编号 A3-FDN352AP A36-AO3409
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 26
Td(off)(ns) - 11.8
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@-1.3A,-10V 110mΩ@-2.6A,-10V
漏源极电压Vds -30V -30V
Rds On(Max)@4.5V - 180mΩ
Pd-功率耗散(Max) 500mW 1.4W
Qrr(nC) - 4.4
VGS(th) - -2.4
Qgd(nC) - 1.1
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id -1.3A -2.6A
Ciss(pF) - 197
Trr(ns) - 11.3
Coss(pF) - 42
Qg*(nC) - 2.2
库存与单价
库存 1,639 7,380
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5889
200+ :  ¥0.3809
1,500+ :  ¥0.3302
3,000+ :  ¥0.2925
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
3,000: ¥0.2925
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