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DMP3098L-7  与  NTR4171PT1G  区别

型号 DMP3098L-7 NTR4171PT1G
唯样编号 A3-DMP3098L-7 A36-NTR4171PT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 DMP3098L Series 30 V 70 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 70mΩ@3.8A,10V 75mΩ@2.2A,10V
正向跨导-最小值 - 7 S
上升时间 5ns 16 ns
Qg-栅极电荷 7.8nC -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A 2.2A(Ta)
配置 Single Single
长度 2.9mm 2.9 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,10V
下降时间 9.5ns 22 ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 720pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 250µA
高度 1mm 0.94 mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W 480mW(Ta)
典型关闭延迟时间 17.6ns 32 ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP3098 NTR4171P
通道数量 1Channel 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 1.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 336pF @ 25V 720pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.6nC @ 10V
典型接通延迟时间 6ns 9 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.6nC @ 10V
库存与单价
库存 85,000 1,902
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
3,000+ :  ¥0.285
50+ :  ¥1.232
200+ :  ¥0.946
1,500+ :  ¥0.8228
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.285 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.285
85,000 当前型号
AO3407A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
48,947 对比
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥1.232 

阶梯数 价格
50: ¥1.232
200: ¥0.946
1,500: ¥0.8228
1,902 对比
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SOT-23-3

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TSMT3

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