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DMP3098L-7  与  RSR025P03TL  区别

型号 DMP3098L-7 RSR025P03TL
唯样编号 A3-DMP3098L-7 A-RSR025P03TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 DMP3098L Series 30 V 70 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
功率耗散(最大值) - 1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 70mΩ@3.8A,10V -
上升时间 5ns -
Qg-栅极电荷 7.8nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 460pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 SOT-23 TSMT3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.8A -
配置 Single -
长度 2.9mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 98 毫欧 @ 2.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
下降时间 9.5ns -
高度 1mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.08W -
典型关闭延迟时间 17.6ns -
FET类型 P-Channel P 通道
系列 DMP3098 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 336pF @ 25V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 6ns -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 5.4nC @ 5V
库存与单价
库存 80 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥0.3286
3,000+ :  ¥0.285
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3098L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-23 3.8A 1.08W 70mΩ@3.8A,10V 30V ±20V P-Channel

¥0.3286 

阶梯数 价格
1: ¥0.3286
3,000: ¥0.285
80 当前型号
NTR4171PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta)

¥1.0516 

阶梯数 价格
50: ¥1.0516
200: ¥0.7249
1,500: ¥0.6589
1,885 对比
AO3407A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -4.3A 1.4W 48mΩ@-4.3A,-10V -55℃~150℃

¥0.6391 

阶梯数 价格
80: ¥0.6391
200: ¥0.52
1,246 对比
AO3407A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -4.3A 1.4W 48mΩ@-4.3A,-10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
SI3401A MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
RSR025P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT3

暂无价格 0 对比

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