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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | -30V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | -4.3A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 48mΩ@-4.3A,-10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 78mΩ | |
| VGS(th) | -2.4 | |
| Ciss(pF) | 520 | |
| Coss(pF) | 100 | |
| Crss(pF) | 65 | |
| Qg*(nC) | 4.6 | |
| Qgd(nC) | 2.2 | |
| Td(on)(ns) | 7.5 | |
| Td(off)(ns) | 19 | |
| Trr(ns) | 11 | |
| Qrr(nC) | 5.3 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥0.6391 总价：￥51.128 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：80 | 倍数：1 |
生产日期 : 25+
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AO3407A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -4.3A 1.4W 48mΩ@-4.3A,-10V -55℃~150℃ |
￥0.6391
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1,146 | 当前型号 | ||||||||
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DMP3098LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) 65mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4A |
￥1.177
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2,384 | 对比 | ||||||||
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DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 800mW(Ta) 50mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 P-Channel 30V 3.7A |
￥0.7139
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984 | 对比 | ||||||||
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DMP3098LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) 65mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMG3401LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 800mW(Ta) 50mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 P-Channel 30V 3.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMP3098LDM-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.25W(Ta) 65mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-26 P-Channel 30V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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