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DMP2022LSS-13  与  IRF7410TRPBF  区别

型号 DMP2022LSS-13 IRF7410TRPBF
唯样编号 A3-DMP2022LSS-13 A36-IRF7410TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 20V 10A 13 mO P-ch SO-8 Single P-Channel 12 V 13 mOhm 91 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.1mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V 7mΩ@16A,4.5V
上升时间 9.9ns -
Qg-栅极电荷 56.9nC -
栅极电压Vgs ±12V ±8V
正向跨导 - 最小值 28S -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 SOP-8 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A 16A
配置 SingleQuadDrainTripleSource -
长度 5.3mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V 1.8V,4.5V
下降时间 76.5ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 900mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 8676pF @ 10V
高度 1.50mm -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 2.5W(Ta)
典型关闭延迟时间 108ns -
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP2022 HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA 900mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2444pF @ 10V 8676pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56.9nC @ 10V 91nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 7.5ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 91nC @ 4.5V
库存与单价
库存 5,000 200
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.3611
100+ :  ¥3.3288
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

暂无价格 5,000 当前型号
IRF7410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.3611 

阶梯数 价格
20: ¥3.3611
100: ¥3.3288
200 对比
IRF7424TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥3.8782 

阶梯数 价格
20: ¥3.8782
100: ¥3.8409
100 对比
BSO203SPHXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO203SP H_8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

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IRF7424PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOIC

暂无价格 0 对比

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