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DMN3015LSD-13  与  IRL6372TRPBF  区别

型号 DMN3015LSD-13 IRL6372TRPBF
唯样编号 A3-DMN3015LSD-13 A-IRL6372TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO Dual N-Channel 30 V 23 mOhm 11 nC 2 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@12A,10V 17.9mΩ@8.1A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W 2W
FET类型 2N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.4A 8.1A
系列 DMN3015 HEXFET®
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1415pF @ 15V 1020pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.1nC @ 10V 11nC @ 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1020pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 当前型号
IRF8313PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

¥0.598 

阶梯数 价格
1: ¥0.598
2: ¥0.5502
2 对比
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF8313PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比
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暂无价格 0 对比
IRL6372PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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