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STB28NM60ND  与  IPB60R190C6  区别

型号 STB28NM60ND IPB60R190C6
唯样编号 A-STB28NM60ND A32-IPB60R190C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 170mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 151W
Qg-栅极电荷 - 63nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20.2A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 9ns
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1400pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 630µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 4
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.024
2+ :  ¥1.862
4+ :  ¥1.7129
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
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10: ¥21.9246
50: ¥17.6796
100: ¥16.8363
500: ¥16.2039
1,000: ¥15.7727
2,000: ¥15.696
2,000 对比
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¥79.1411 

阶梯数 价格
2: ¥79.1411
10: ¥21.9246
50: ¥17.6796
100: ¥16.8363
220 对比
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¥35.2095 

阶梯数 价格
1: ¥35.2095
100: ¥20.3511
1,000: ¥12.9026
100 对比
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1: ¥2.024
2: ¥1.862
4: ¥1.7129
4 对比

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