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RQ3E130BNTB  与  DMTH3004LFGQ-7  区别

型号 RQ3E130BNTB DMTH3004LFGQ-7
唯样编号 A-RQ3E130BNTB A-DMTH3004LFGQ-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W(Ta),50W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2370 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 44 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 13A(Ta) 15A(Ta),75A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
库存与单价
库存 84 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.297
100+ :  ¥3.6397
1,500+ :  ¥2.3076
3,000+ :  ¥1.6684
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