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RQ3E130BNTB  与  AON6594  区别

型号 RQ3E130BNTB AON6594
唯样编号 A-RQ3E130BNTB A-AON6594
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 61
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V 7mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 11mΩ
Qgd(nC) - 3.6
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 5.6
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 13A(Ta) 35A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1037
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 12.7
Td(off)(ns) - 18
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 39W
Qrr(nC) - 17.2
VGS(th) - 2.2
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
Coss(pF) - 441
Qg*(nC) - 6.8
库存与单价
库存 84 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.297
100+ :  ¥3.6397
1,500+ :  ¥2.3076
3,000+ :  ¥1.6684
暂无价格
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