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RQ3E130BNTB  与  AON6368  区别

型号 RQ3E130BNTB AON6368
唯样编号 A-RQ3E130BNTB A-AON6368
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 40
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@13A,10V 6.1mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 9.5mΩ
Qgd(nC) - 2
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 6.5
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 13A(Ta) 52A
工作温度 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 820
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 11
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 27W
Qrr(nC) - 19
VGS(th) - 2.2
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
Coss(pF) - 340
Qg*(nC) - 6.1
库存与单价
库存 84 3,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥6.297
100+ :  ¥3.6397
1,500+ :  ¥2.3076
3,000+ :  ¥1.6684
1+ :  ¥2.5385
100+ :  ¥2.0204
1,000+ :  ¥1.4559
1,500+ :  ¥1.2532
3,000+ :  ¥0.99
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1: ¥6.297
100: ¥3.6397
1,500: ¥2.3076
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84 当前型号
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阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
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