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RQ3E100MNTB1  与  BSZ130N03LSGATMA1  区别

型号 RQ3E100MNTB1 BSZ130N03LSGATMA1
唯样编号 A-RQ3E100MNTB1 A-BSZ130N03LSGATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),25W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ -
上升时间 17ns -
Qg-栅极电荷 9.9nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 970pF @ 15V
栅极电压Vgs 2.5V -
封装/外壳 HSMT-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 10A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 13 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 6ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W -
典型关闭延迟时间 31ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 10A(Ta),35A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 7ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 当前型号
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¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
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1,250: ¥0.9097
2,500: ¥0.8283
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阶梯数 价格
80: ¥0.682
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