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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
连续漏极电流Id | 10A | |
Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
Qg-栅极电荷 | 9.9nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.8mΩ | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | 2.5V | |
上升时间 | 17ns | |
下降时间 | 6ns | |
典型关闭延迟时间 | 31ns | |
典型接通延迟时间 | 7ns | |
封装/外壳 | HSMT-8 | |
FET类型 | N-Channel | |
通道数量 | 1Channel | |
配置 | Single |
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承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
AON7430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3x3EP |
¥1.419
|
3,982 | 对比 | |||||||||||
AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3x3EP |
¥0.682
|
906 | 对比 | |||||||||||
BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ130N03LS G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
AON7414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3x3EP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3x3EP |
暂无价格 | 0 | 对比 |