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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
连续漏极电流Id | 10A | |
Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
Qg-栅极电荷 | 9.9nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.8mΩ | |
漏源极电压Vds | 30V | |
栅极电压Vgs | 2.5V | |
上升时间 | 17ns | |
下降时间 | 6ns | |
典型关闭延迟时间 | 31ns | |
典型接通延迟时间 | 7ns | |
封装/外壳 | HSMT-8 | |
FET类型 | N-Channel | |
通道数量 | 1Channel | |
配置 | Single |
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专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 288,000 |
PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
S-LP2408LT1G | 102,050 |
PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AON7430 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
¥1.419
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3,725 | 对比 | ||||||||||
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 18A 11W 20mΩ@10V |
¥1.54
|
786 | 对比 | ||||||||||
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BSZ130N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ130N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AON7432 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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DMS3014SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1W(Ta) ±12V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 9.5A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |