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功率MOSFET   HSMT-8

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制造商编号 RQ3E100MNTB1
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A-RQ3E100MNTB1
供货
产品周期

量产中(新设计非推荐)

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
连续漏极电流Id:10A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:8.8mΩ 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:2.5V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 10A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 9.9nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 2.5V
上升时间 17ns
下降时间 6ns
典型关闭延迟时间 31ns
典型接通延迟时间 7ns
封装/外壳 HSMT-8
FET类型 N-Channel
通道数量 1Channel
配置 Single
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