首页 > 商品目录 > > > > RE1C002UNTCL代替型号比较

RE1C002UNTCL  与  RUE002N02TL  区别

型号 RE1C002UNTCL RUE002N02TL
唯样编号 A-RE1C002UNTCL A33-RUE002N02TL-0
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 RE1C002UN Series 20 V 1.2 Ohm 200 mA Surface Mount Small Signal Mosfet - EMT-3F MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 150mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2Ω@100mA,2.5V 1.2Ω@200mA,2.5V
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 150mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 25pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 EMTF EMT3
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.2A 200mA(Ta)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 1mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.2V,2.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 1.2V,2.5V
库存与单价
库存 237 29,900
工厂交货期 3 - 5天 21 - 28天
单价(含税)
1+ :  ¥0.5893
100+ :  ¥0.3147
3,000+ :  ¥0.2275
130+ :  ¥1.2362
500+ :  ¥0.7657
1,000+ :  ¥0.7359
2,000+ :  ¥0.6762
4,000+ :  ¥0.6762
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RE1C002UNTCL ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

EMTF

¥0.5893 

阶梯数 价格
1: ¥0.5893
100: ¥0.3147
3,000: ¥0.2275
237 当前型号
RUE002N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

EMT3

¥0.3926 

阶梯数 价格
130: ¥0.3926
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.255
3,000: ¥0.225
46,686 对比
RUE002N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

EMT3

¥1.2362 

阶梯数 价格
130: ¥1.2362
500: ¥0.7657
1,000: ¥0.7359
2,000: ¥0.6762
4,000: ¥0.6762
29,900 对比
RUE002N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

EMT3

¥1.2362 

阶梯数 价格
130: ¥1.2362
500: ¥0.7657
1,000: ¥0.7359
2,000: ¥0.6762
4,000: ¥0.6762
6,647 对比
RUE002N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

EMT3

暂无价格 0 对比
RUE002N02TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

EMT3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售